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    电力电子技术与新能源»论坛 › 电力电子技术 › 功率半导体器件(MOS,IGBT,SiC,GaN) › 关于SiC 分离器件和模块的区别
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    [提问求助] 关于SiC 分离器件和模块的区别

    TA的其它主题
    L1354714825

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    发表于 2020-7-27 14:06:02 | 查看全部 |阅读模式
    关于SiC器件的问题咨询：
           目前市场上在相同的电压等级（1200V）和电流等级下，存在分离SiC mosfet器件 和 SiC MOS模块可以满足选型要求。
    一个模块一般为一个半桥，但是价格比两个分离SiC贵一倍多，这是什么原因？模块是因为有什么突出的优点吗？




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    huangfanqu

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    发表于 2020-7-28 09:49:02 | 查看全部
    个人理解，
    分离器件的封装相对成熟，设备、技术、产量、通用性强，成本低，但应用时多器件布局、并联、散热、可靠性需要使用者考虑。
    模块与制造、使用与上述正相反，器件设计、制造体系专门设计，但使用上方便、可靠性有保障。
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    供sic1053409790

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    发表于 2020-7-28 14:34:46 | 查看全部
    我的理解是模块体积小，内部集成驱动保护 ，做同样的功率大小能简化应用者许多设计工作。
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    paulke

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    发表于 2020-8-10 16:56:18 | 查看全部
    模块在封装方面，考虑了散热，电感，可靠性等各方面的因素
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